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北京计算科学研究中心魏苏淮教授来访

(文/张传国)

11月6日,应我室曾雉研究员邀请,北京计算科学研究中心魏苏淮教授做客计算室,并作了题为“半导体缺陷性质的理论研究”的学术报告。

魏苏淮教授首先从国家重大需求对半导体材料缺陷调控要求出发,讲述了半导体缺陷性质理论计算的必要性。接着讨论了半导体中缺陷的一般概念,并详细介绍了基于超胞方法的第一性原理缺陷计算方法,特别指出带电缺陷形成能计算所注意的问题。他以太阳能电池材料CdTe为例加以说明,并讨论了半导体材料中掺杂困难的根源和克服掺杂瓶颈的途径,包括如何利用非平衡方法调控缺陷热力学,以提高有利缺陷浓度;如何通过设计较浅的掺杂或掺杂配合体来降低缺陷电荷转变能级;如何通过改变靠近带边的主带结构来降低缺陷补偿和电荷转变能级等。魏教授的报告汇聚了其从事该项研究30余年的经验,内容全面,堪称半导体缺陷计算的百科全书。与会人员就半导体中缺陷性质计算有关问题展开了深入交流讨论。

魏苏淮,国家级特聘专家,北京计算科学研究中心教授,美国物理学会和材料研究学会会员。1981年获复旦大学物理学士学位,1985年获威廉玛丽学院博士学位。2015年加入北京计算科学研究中心,任理论材料科学部主任,研究重点是发展材料的电子结构理论,特别是半导体和能源相关材料的电子结构理论。发表论文500多篇,其中70篇发表在《物理评论快报》上,被引5万多次,H因子111。

   魏苏淮教授作报告


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