题目：II-VI族三元合金半导体热力学性质的第一性原理研究

报告人：罗明海

时间：2017年1月23日上午9:00

地点：固体所新楼520会议室

报告摘要：
目前，通过等价阴阳离子取代的方法已经可以实现ZnO能带的调节，其中通过掺入Mg和Cd等阳离子来形成MgZnO和CdZnO等三元合金的相关研究工作已经取得了比较大的进展。 并且可以在一定的条件下制备出量子阱和高质量的薄膜材料。与等价阳离子取代Zn2+相比，通过等价阴离子取代O2-（比如：ZnOS、ZnOSe、ZnOTe）来实现带隙调节的相关文献报道的比较少。同时，对CdOS和ZnSSe三元合金的研究也引起了人们的重视。但是，关于ZnO三元合金及其其它II-VI族三元半导体合金的能带调控研究及其固溶限的影响，报道篇幅只有少数。因此，我们重点研究II-VI族三元半导体合金的热力学性质，探究其固溶体性质。同时为实验上制备II-VI族三元半导体合金以及研究II-VI族三元半导体合金的固溶体性质提供一定的理论指导和帮助。