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中科大乔振华教授访问我室

(文/李伟)

20161014日,中国科技大学物理系乔振华教授应邀访问我室,并作了题为“Recent Progress on Exploring Quantum Anomalous Hall Effect and Gate-Controlled Topological 1D Mode”的学术报告。报告会由计算室主任邹良剑研究员主持。

量子反常霍尔效应(Quantum Anomalous Hall EffectsQAHE)是指,即使没有外加磁场,在施加纵向电场时,仍存在量子化的横向霍尔电导。这一效应对低能耗、无耗散的电子器件具有重要意义。

报告会上,乔振华教授首先回顾了量子反常霍尔效应的研究发展历史,并介绍了其与合作者在石墨烯体系中Rashba自旋轨道耦合效应引起的量子反常霍尔效应的研究工作。随后介绍了其研究组最近在拓扑绝缘体(Topological Insulator, TI)中的高温量子反常霍尔效应以及杂质、电场等对量子反常霍尔效应的调控等问题上的一系列理论工作。他们的研究表明,可以通过在Sb2Te3中同时掺入钒(V)和碘(I)的n-p共掺杂的方式实现高温下(~50K)的量子反常霍尔效应,这一方案在理论、实验上都有重大价值。此外,他们对外势对量子反常霍尔效应的影响的最新研究发现:Berry曲率交换可以引起量子反常霍尔效应体系的安德森局域化外电场调控的一维拓扑受限电子态的具有零弯曲阻力的输运特性。上述重要成果发表于《物理评论快报》( Phys. Rev. Lett.)等杂志Phys. Rev. Lett. 117, 056804 (2016)Phys. Rev. Lett. 117, 056802 (2016)Nat. Nanotech., 2016.158 (2016); Rep. Prog. Phys. 79, 066501 (2016)Phys. Rev. B 94, 085411(2016)

近年来,拓扑绝缘体、拓扑物性的研究成为凝聚态物理的研究热点,且2016年诺贝尔物理学奖也授予了在拓扑态领域做出重大贡献的三位物理学家。乔振华教授研究拓扑物性多年,并在石墨烯、拓扑绝缘体等领域做出了一系列有国际影响力的工作。本次报告会不仅是乔振华教授多年工作的积累,更展示他对低维拓扑体系的深层次思考。报告结束后,与会师生与乔振华教授就理论计算、实验论证等方面进行了深入讨论。本次报告会让与会人员收获良多,更为双方的进一步合作打下了很好的基础。

乔振华教授,现为中国科学技术大学物理系教授。2005年于山西大学获物理学士学位,2009年于香港大学获得博士学位,之后在美国德克萨斯大学奥斯汀分校从事研究工作,2013年加入微尺度物质科学国家实验室。入选美国物理学会会员,并长期担任《物理评论快报》( Phys. Rev. Lett.)、《纳米快报》(Nano Lett. 等多个杂志审稿人。乔振华教授专长于理论和计算凝聚态物理,专注于低维介观电子输运研究以及拓扑物性的研究,利用非平衡格林函数方法以及Landauer-Buttiker公式来进行理论模型研究,并通过第一性原理计算方法来验证。近年来在石墨烯、拓扑绝缘体等领域做出了一系列有国际影响力的工作,在《自然-通讯 Nat. comm.《物理评论快报》(Phys. Rev. Lett.)、《纳米快报》(Nano. Lett.)、《物理评论B》(Phys. Rev. B)等杂志上发表论文三十余篇总引用达1100余次

 

 


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